| Akademický rok 1999/2000 |
| Garant: | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. | |||
| Garantující pracoviště: | ÚFI | |||
| Jazyk výuky: | čeština | |||
| Cíle předmětu: | ||||
| Poskytnout studentům základní poznatky o moderních metodách příprav tenkých vrstev a o současných moderních technologií. |
||||
| Výstupy studia a kompetence: | ||||
| Znalosti umožní studentovi lépe se orientovat ve světě moderních technologií, jakož i při výběru a vypracovávání diplomových úkolů a v případném doktorském studiu. |
||||
| Prerekvizity: | ||||
|   | ||||
| Obsah předmětu (anotace): | ||||
| Předmět podává přehled pokročilých technologií zaměřených na depozici tenkých vrstev a povlaků, leptání a legování a žíhání materiálů, zejména v podmínkách vakua. Zaměřuje se především na vysvětlení fyzikálních principů těchto procesů. |
||||
| Metody vyučování: | ||||
|   | ||||
| Způsob a kritéria hodnocení: | ||||
| Klasifikovaný zápočet je získán při zohlednění práce ve cvičení (samostatně řešené příklady a projekt) a úrovni diskuse nad zadaným tématem (při použití vlastních poznámek). |
||||
| Vymezení kontrolované výuky a způsob jejího provádění a formy nahrazování zameškané výuky: | ||||
|   | ||||
| Typ (způsob) výuky: | ||||
| Přednáška | 14 × 2 hod. | nepovinná | ||
| Cvičení odborného základu | 7 × 1 hod. | povinná | ||
| Cvičení na počítači | 7 × 1 hod. | povinná | ||
| Osnova: | ||||
| Přednáška | Úvod do fyzikálních technologií. Charakteristika a přehled vybraných fyzikálních technologií. Využití fyzikálních technologií v průmyslu. Principy fyzikálních technologií a technologického zařízení. Zdroje elektronů: parametry a výpočet zdrojů elektronů. Zdroje iontů: parametry a výpočet zdrojů iontů. Prvky elektronových a iontových optických systémů. Plazma jako zdroj chemicky aktivních částic. Zdroje fotonů, optické systémy. Zdroje atomů a molekul. Interakce částic s látkou (elektrony, ionty, fotony, neutrální částice). Principy růstu vrstev. Fyzikální technologie. Depozice tenkých vrstev a povlaků (napařování, CVD, PECVD, naprašování, přímá depozice aj.). Leptání tenkých vrstev a povlaků (chemické leptání, plazmatické a iontové leptání). Epitaxe. Legování (difúze, iontová implantace). 'Promíchávání' atomů iontovými svazky. Žíhání elektronovým a laserovým svazkem. Litografické metody. Analýza povrchů a tenkých vrstev - přehled. Nové trendy v pokročilých materiálových technologiích. Použití jednotlivých metod. TEM, SEM AES, RBS, SIMS ESCA, XPC LEED, RHEED. |
|||
| Cvičení odborného základu | Účast ve cvičení je povinná, součástí zápočtu je vypracování zadaného projektu (program SIMION). |
|||
| Cvičení na počítači | Ve výpočetní laboratoři ÚFI FS se studenti především seznámí s využitím programu SIMION (aktivně). Navrhnou iontovou optiku zadaných zařízení. |
|||
| Literatura - základní: | ||||
| 1. BRODIE, I. - MURAY, J. J.: The Physics of Micro/Nano-Fabrication | ||||
| 2. CHEN, F. F.: Úvod do fyziky plazmatu | ||||
| 3. VÁLYI, L.: Atom and Ion Sources | ||||
| Literatura - doporučená: | ||||
| 1. ECKERTOVÁ, L.: Fyzika tenkých vrstev | ||||
| 2. ECKERTOVÁ, L.: Elektronika povrchů | ||||
| 3. RIVIERE, J. C.: Surface Analytical Techniques | ||||
| Zařazení předmětu ve studijních programech: | |||||||||
| Program | Forma | Obor | Spec. | Typ ukončení | Kredity | Povinnost | St. | Roč. | Semestr |
| M2301-5 | prezenční studium | Fyzikální inženýrství | -- | zá,zk | 4 | Povinný | 1 | 3 | L |
Vysoké učení technické v Brně
Fakulta strojního inženýrství
Technická 2896/2,
616 69 Brno
IČ 00216305
DIČ CZ00216305
+420 541 141 111
+420 726 811 111 – GSM O2
+420 604 071 111 – GSM T-mobile