doc. Ing. Miroslav Kolíbal, Ph.D.
E-mail:   kolibal.m@fme.vutbr.cz 
Pracoviště:   Ústav fyzikálního inženýrství
Zařazení:   Docent
Místnost:   A1/1726

Vzdělání a akademická kvalifikace

  • 2017, doc., Fakulta strojního inženýrství VUT v Brně, obor Aplikovaná fyzika
  • 2009, PhD., Fakulta strojního inženýrství VUT v Brně, obor Fyzikální a materiálové inženýrství
  • 2002, Ing., Fakulta strojního inženýrství VUT v Brně, obor Fyzikální inženýrství

Přehled zaměstnání

09/2017 – dosud: Fakulta strojního inženýrství, Vysoké učení technické v Brně, docent

05/2017 – dosud: Středoevropský technologický institut, Vysoké učení technické v Brně, seniorní výzkumný pracovník

02/2012 – 04/2017: Středoevropský technologický institut, Vysoké učení technické v Brně, juniorní výzkumný pracovník

04/2011 – dosud: Thermo Fisher Scientific, externí výzkumný poradce

02/2009 – 08/2017: Fakulta strojního inženýrství, Vysoké učení technické v Brně, odborný asistent

07/2008 – 01/2009: Fakulta strojního inženýrství, Vysoké učení technické v Brně, asistent

10/2005 – 06/2008: Fakulta strojního inženýrství, Vysoké učení technické v Brně, technický pracovník

Pedagogická činnost

Přednášky

  • Obecná fyzika IV (pro obor Fyzikální inženýrství a nanotechnologie, 5. roč., od LS 2018/2019 dosud, 1x3h týdně).
  • Metody přípravy nízkodimenzionálních struktur (pro obor Fyzikální inženýrství a nanotechnologie, 3. roč., od LS 2018/2019 dosud, 1x2h týdně).
  • Diagnostika nanostruktur (pro obor Fyzikální inženýrství a nanotechnologie, 5. roč., 1 přednáška v rámci předmětu, LS 2012-dosud)
  • Friday seminar (pro doktorský studijní program CEITEC VUT, 1. roč,1-2 přednášky v rámci předmětu, ZS i LS 2014-dosud).

Výuka – teoretické cvičení:

  • Povrchy a tenké vrstvy(pro obor Fyzikální inženýrství a nanotechnologie, 4. roč., ZS 2010-2011, a od ZS 2013/2014 každý lichý rok dosud, 1x2h týdně)
  • Seminář k diplomové práci I(pro obor Fyzikální inženýrství a nanotechnologie, 5. roč., od ZS 2016/2017 každý sudý rok dosud, 1x2h týdně)
  • Metody přípravy nízkodimenzionálních struktur (pro obor Fyzikální inženýrství a nanotechnologie, 3. roč., od LS 2018/2019 dosud, 1x1h týdně)
  • Fyzika I (obecný bakalářský studijní program, 1. roč., LS 2004 1x2h týdně)
  • Obecná fyzika IV (pro obor Fyzikální inženýrství a nanotechnologie, 2. roč., LS 2014, 2015, 2016, 2017 1x2h týdně)

 

Výuka – laboratorní cvičení:

  • Fyzika I (obecný bakalářský studijní program, 1. ročník, LS 2004-2013,2x2h týdně)
  • Fyzika II(obecný bakalářský studijní program, 2. ročník, ZS 2003-2008, 2010-2011, 2013-2020, 2x2h týdně)
  • Fyzikální praktikum III (pro obor Fyzikální inženýrství a nanotechnologie, 2. ročník, ZS 2010-2017, 1x3h týdně)

Vědeckovýzkumná činnost

  • Vývoj instrumentace a metodologie pro pozorování chemických reakcí za vysoké teploty a tlaku v reálném čase v elektronovém mikroskopu, multimodální mikroskopie zahrnující i jiné signály než elektrony (např. Zahrnující sondovou mikroskopii).
  • Příprava a analýza 1D a 2D nanostruktur, včetně vývoje postupů uspořádávání a modifikaci nanostruktur do prostorově organizovaných funkčních celků.

Akademické stáže v zahraničí

2012-2013: 4 měsíce v IBM Zurich Research laboratory (Švýcarsko), skupina Dr. Heike Riel.

2009: 2 měsíce ve FEI Company (USA), R&D oddělení, skupina Dr. Milose Totha.

2003–2007: 6 měsíců na JKU Linz (Rakousko), skupina Prof. Petera Bauera.

2001: 5 měsíců (Erasmus) na University of Salford (UK), školitel Prof. J.A.van den Berg.

Ocenění vědeckou komunitou

  • Mentor projektu TAČR oceněného cenou Český nápad 2021 a vítěz kategorie Bussiness 2021
  • Medaile Jiřího z Poděbrad pro mladé inovátory, Ministerstvo průmyslu a obchodu, Česká republika, 2015.

Projekty

    • Grantová agentura České republiky, juniorský grant 2016-2018, EUR 223k.
    • Grantová agentura České republiky, postdoktorský grant scheme 2012-2015, EUR 59k

jako spoluřešitel

    • Technologická agentura České republiky, program Epsilon, TH03020005, “R&D of Bulk Semiconductor Material with Wide Bandgap”, 2018-2020.
    • Technologická agentura České republiky, program Zeta, TJ01000271, “Development of atomic source for applications in electron microscopy” 2018-2019.
    • Technologická agentura České republiky, program Trend, FW01010183, “Next Generation of Integrated Atomic Force and Scanning Electron Microscopy”, 2020-2023.
    • Technologická agentura České republiky, program Národní centra competence, TN01000008, “Center of electron and photonic optics” 2018-2022.

Citace publikací podle SCOPUS (bez autocitací)

Aktuálně garantované předměty:

Vybrané publikace:

  • KOLÍBAL, M.; VYSTAVĚL, T.; VARGA, P.; ŠIKOLA, T.:
    Real-Time Observation of Collector Droplet Oscillations during Growth of Straight Nanowires
    článek v časopise ve Web of Science, Jimp
  • KOLÍBAL, M.; KONEČNÝ, M.; LIGMAJER, F.; ŠKODA, D.; VYSTAVĚL, T.; ZLÁMAL, J.; VARGA, P.; ŠIKOLA, T.:
    Guided Assembly of Gold Colloidal Nanoparticles on Silicon Substrates Prepatterned by Charged Particle Beams
    článek v časopise ve Web of Science, Jimp
  • KOLÍBAL, M.; KALOUSEK, R.; NOVÁK, L.; VYSTAVĚL, T.; ŠIKOLA, T.:
    Controlled faceting in (110) germanium nanowire growth by switching between vapor-liquid-solid and vapor-solid-solid growth
    článek v časopise ve Web of Science, Jimp
  • KOLÍBAL, M.; VYSTAVĚL, T.; NOVÁK, L.; MACH, J.; ŠIKOLA, T.:
    In-situ observation of <110> oriented Ge nanowire growth and associated collector droplet behavior
    článek v časopise ve Web of Science, Jimp
  • KOLÍBAL, M.; MATLOCHA, T.; VYSTAVĚL, T.; ŠIKOLA, T.:
    Low energy focused ion beam milling of silicon and germanium nanostructures,
    NANOTECHNOLOGY, Vol.22, (2011), No.10, pp.105304-1-105304-8, ISSN 0957-4484
    článek v časopise - ostatní, Jost
  • KOLÍBAL, M.; ČECHAL, J.; BARTOŠÍK, M.; MACH, J.; ŠIKOLA, T.:
    Stability of hydrogen-terminated silicon surface under ambient atmosphere,
    Applied Surface Science, Vol.256, (2010), No.11, pp.3423-2426, ISSN 0169-4332
    článek v časopise - ostatní, Jost
  • KOLÍBAL, M.; ČECHAL, T.; KOLÍBALOVÁ, E.; ČECHAL, J.; ŠIKOLA, T.:
    Self-limiting cyclic growth of gallium droplets on Si(111),
    NANOTECHNOLOGY, Vol.19, (2008), No.46, pp.475606-1-475606-5, ISSN 0957-4484
    článek v časopise - ostatní, Jost
  • MACH, J.; ČECHAL, J.; KOLÍBAL, M.; POTOČEK, M.; ŠIKOLA, T.:
    Atomic hydrogen induced gallium nanocluster formation on the Si(100) surface,
    Surface Science, Vol.602, (2008), No.10, pp.1898-1902, ISSN 0039-6028
    článek v časopise - ostatní, Jost
  • KOLÍBAL, M.; TOMANEC, O.; PRŮŠA, S.; PLOJHAR, M.; MARKIN, S.; DITTRICHOVÁ, L.; SPOUSTA, J.; BAUER, P.; ŠIKOLA, T.:
    TOF-LEIS spectra of Ga/Si: Peak shape analysis,
    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, Vol.265, (2007), No.2, pp.569-575, ISSN 0168-583X
    článek v časopise - ostatní, Jost
  • KOLÍBAL, M.; PRŮŠA, S.; PLOJHAR, M.; BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; TOMANEC, O.; KOSTELNÍK, P.; MARKIN, S.; BAUER, P.; ŠIKOLA, T.:
    In situ Analysis of Ga-ultra Thin Films by ToF-LEIS,
    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, Vol.249, (2006), No.1-2, pp.318-321, ISSN 0168-583X, Elsevier
    článek v časopise - ostatní, Jost
  • KOLÍBAL, M.; PRŮŠA, S.; BÁBOR, P.; ŠIKOLA, T.:
    Low energy ion scattering as a method for surface structure analysis,
    Jemná mechanika a optika, Vol.9, (2004), No.9, pp.262-265, ISSN 0447-6441
    článek v časopise - ostatní, Jost
  • KOLÍBAL, M.; PRŮŠA, S.; BÁBOR, P.; ŠIKOLA, T.:
    ToF-LEIS Analysis of ultra thin films: Ga and Ga-N layer growth on Si(111),
    Surface Science, Vol.566-568, (2004), No.9, pp.885-889, ISSN 0039-6028
    článek v časopise - ostatní, Jost

Seznam publikací na portálu VUT

Anotace nejvýznamnějších prací:

  • KOLÍBAL, M.; KONEČNÝ, M.; LIGMAJER, F.; ŠKODA, D.; VYSTAVĚL, T.; ZLÁMAL, J.; VARGA, P.; ŠIKOLA, T.:
    Guided Assembly of Gold Colloidal Nanoparticles on Silicon Substrates Prepatterned by Charged Particle Beams
    článek v časopise ve Web of Science, Jimp
    Článek se zabývá modifikací křemíkových substrátů pomocí svazků elektronů a iontů a následnou selektivní depozicí zlatých koloidních částic na takto expomovaná místa.
  • KOLÍBAL, M.; KALOUSEK, R.; NOVÁK, L.; VYSTAVĚL, T.; ŠIKOLA, T.:
    Controlled faceting in (110) germanium nanowire growth by switching between vapor-liquid-solid and vapor-solid-solid growth
    článek v časopise ve Web of Science, Jimp
    článek se zabývá in-situ pozorování růstu nanovláken pomocí elektronového mikroskopu. Pomocí přepínáním VLS a VSS módů je dosaženo kontroly růstu fazet ve směru 110 při růstu germániových navovláken.
  • KOLÍBAL, M.; VYSTAVĚL, T.; NOVÁK, L.; MACH, J.; ŠIKOLA, T.:
    In-situ observation of <110> oriented Ge nanowire growth and associated collector droplet behavior
    článek v časopise ve Web of Science, Jimp
    Pomocí in-situ mikroskopie bylo ukázáno, že germániové nanodráty mohou růst pomocí VLS procesu ve směru <110> na Ge(100) i Ge(111) substrátech pokud dochází k velmi malému přesycení kapky.
  • KOLÍBAL, M.; MATLOCHA, T.; VYSTAVĚL, T.; ŠIKOLA, T.:
    Low energy focused ion beam milling of silicon and germanium nanostructures,
    NANOTECHNOLOGY, Vol.22, (2011), No.10, pp.105304-1-105304-8, ISSN 0957-4484
    článek v časopise - ostatní, Jost
    Článek se zabývá vytvářením křemíékových a germaniových nanostruktur pomocí nízkoenergiového fokusovaného iontového svazku. Jako nejvhodnější se ukazuje použité svazku o nízkých energiích.
  • KOLÍBAL, M.; ČECHAL, J.; BARTOŠÍK, M.; MACH, J.; ŠIKOLA, T.:
    Stability of hydrogen-terminated silicon surface under ambient atmosphere,
    Applied Surface Science, Vol.256, (2010), No.11, pp.3423-2426, ISSN 0169-4332
    článek v časopise - ostatní, Jost
    V článku je prezentována komparativní studie různých metod přípravy pasivovaného povrchu Si (111) s ohledem na stabilitu a odolnost proti oxidaci za atmosférických podmínek. Nejlepších výsledků bylo dosaženo předleptáním vzorku ve směsi HF a NH4F a následném krátkém leptání v horkém (72 C) 40% roztoku NH4F. Takto připravený povrch je odolný proti oxidaci po dobu nejméně 3 hodin.