prof. Ing. Jan Čechal, Ph.D.
E-mail:   cechal@fme.vutbr.cz  Pracoviště:   Ústav fyzikálního inženýrství Zařazení:   Docent Místnost:   A3/421

Aktuálně garantované předměty:

• Methods in Surface Science (DS133)
• Organic-inorganic interfaces (DS134)
• Organické nanostruktury na anorganických površích (9ONA)
• Seminář k bakalářské práci (B-FIN) (TBS)
• Vybrané kapitoly z fyziky I (0KF)
• Vybrané kapitoly z fyziky II (0FK)

Vybrané publikace:

• STARÁ, V.; PROCHÁZKA, P.; MAREČEK, D.; ŠIKOLA, T.; ČECHAL, J.:
  Ambipolar remote graphene doping by low-energy electron beam irradiation
  článek v časopise ve Web of Science, Jimp
• KORMOŠ, L.; PROCHÁZKA, P.; ŠIKOLA, T.; ČECHAL, J.:
  Molecular Passivation of Substrate Step Edges as Origin of Unusual Growth Behavior of 4,4′-Biphenyl Dicarboxylic Acid on Cu(001)
  článek v časopise ve Web of Science, Jimp
• PROCHÁZKA, P.; MAREČEK, D.; LIŠKOVÁ, Z.; ČECHAL, J.; ŠIKOLA, T.:
  X-ray induced electrostatic graphene doping via defect charging in gate dielectric, NPG
  článek v časopise ve Web of Science, Jimp
• ČECHAL, J.; KLEY, C.; PÉTUYA, R.; SCHRAMM, F.; RUBEN, M.; STEPANOW, S.; ARNAU, A.; KERN, K.:
  CO2 Binding and Induced Structural Collapse of a Surface-Supported Metal-Organic Network
  článek v časopise ve Web of Science, Jimp
• PROCHÁZKA, P.; MACH, J.; BISCHOFF, D.; LIŠKOVÁ, Z.; DVOŘÁK, P.; VAŇATKA, M.; SIMONET, P.; VARLET, A.; HEMZAL, D.; PETRENEC, M.; KALINA, L.; BARTOŠÍK, M.; ENSSLIN, K.; VARGA, P.; ČECHAL, J.; ŠIKOLA, T.:
  Ultrasmooth metallic foils for growth of high quality graphene by chemical vapor deposition
  článek v časopise ve Web of Science, Jimp
• KLEY, C.; ČECHAL, J.; KUMAGAI, T.; SCHRAMM, F.; RUBEN, M.; STEPANOW, S.; KERN, K.:
  Highly Adaptable Two-Dimensional Metal-Organic Coordination Networks on Metal Surfaces
  článek v časopise ve Web of Science, Jimp

Seznam publikací na portálu VUT

Anotace nejvýznamnějších prací:

• ČECHAL, J.; POLČÁK, J.; ŠIKOLA, T.:
  Detachment Limited Kinetics of Gold Diffusion through Ultrathin Oxide Layers
  článek v časopise ve Web of Science, Jimp
  Tato publikace se zabývá difúzí zlata přes tenké oxidové vrstvy (SiO2, Al2O3, HfO2) na Si subsrátu. Teplota při níž je difúze pozorována závisí na velikosti ostrůvků zlata na povrchu oxidu. Omezujícím krokem pro dífúzi je odpojení atomu zlata od ostrůvku.
• ČECHAL, J.; KLEY, C.; KUMAGAI, T.; SCHRAMM, F.; RUBEN, M.; STEPANOW, S.; KERN, K.:
  Convergent and divergent two-dimensional coordination networks formed through substrate-activated or quenched alkynyl ligation, Royal Society of Chemistry
  článek v časopise ve Web of Science, Jimp
  Článek popisuje ja lze pomocí volby substrátu selektivně aktivovat alkynylovo skupinu a její ochotu tvořit koordinační vazby s atomy niklu. Výsledkem jsou zcela rozdílné dvourozměrné koordinašní sítě vykazující buď vysokou míru uspořádanosti nebo naopak náhodnou strukturu.
• ČECHAL, J.; KLEY, C.; KUMAGAI, T.; SCHRAMM, F.; RUBEN, M.; STEPANOW, S.; KERN, K.:
  Functionalization of Open Two-Dimensional Metal–Organic Templates through the Selective Incorporation of Metal Atoms,
  Journal of Physical Chemistry C (print), Vol.117, (2013), No.17, pp.8871-8877, ISSN 1932-7447
  článek v časopise - ostatní, Jost
  V článku se zabýváme možnostvi vázání atomů niklu do dvojrozněrných metalo-organických sítí na površích Ag(100) a Au(111). V závislosti na použitém substrátu vznikají clustery niklu buď na povrchu (Au) nebo v první vrstvě sustrátu pod organickým ligandem (Ag).
• ČECHAL, J.; TOMANEC, O.; ŠKODA, D.; KOŇÁKOVÁ, K.; HRNČÍŘ, T.; MACH, J.; KOLÍBAL, M.; ŠIKOLA, T.:
  Selective growth of Co islands on ion beam induced nucleation centers in a native SiO2 film,
  Journal of Aplied Physics, Vol.105, (2009), No.8, pp.084314-1-084314-6, ISSN 0021-8979
  článek v časopise - ostatní, Jost
  Práce představuje přímočarou metodu tvorby uspořádaných souborů kovových nanostruktur. Vrstva nativního SiO2/ Si byla lokálně modifikována fokusovaným iontovým svazkem. Na těchto místech dochází přednostně k nukleaci kobaltových ostrůvků. Ostrůvky, které vznikají při depozici za teploty 400 - 430 C přerušené žíháním při 550 C, mají definovanou velikost, která je dána vzdáleností nukleačních center a množstvím deponovaného kobaltu. Tvorba uspořádaných souborů ostrůvků je způsobena nižší povrchovou difúzí atomů kobaltu na modifikovaných místech.
• ČECHAL, J.; KOLÍBAL, M.; KOSTELNÍK, P.; ŠIKOLA, T.:
  Gallium structure on the Si(111)-(7 x 7) surface: influence of Ga coverage and temperature,
  Journal of Physics: Condensed Matter, Vol.19, (2007), No.1, pp.016011-16025, ISSN 0953-8984
  článek v časopise - ostatní, Jost
  Práce se zabývá vlivem teploty depozice a žíhání na strukturu gallia na povrchu Si(111)-(7 x 7) pomocí difrakce nízkoenergiových elektronů a fotoelektronové spektroskopie využívající synchrotronové záření. Při depozici za zvýšené teploty vznikají buď pouze základny ostrůvků (nad 490 C) nebo na těchto základnách dochází k růstu další vrstvy (300 C). Při teplotách do 20 C gallium interaguje velmi slabě s rekonstruovaným substrátem (7x7) a dochází k růstu neuspořádaných ostrůvků. Dále byla popsána nová rekonstrukce (3R3x3R3) R30 vznikající při žíhání vrstvy deponované za zvýšené teploty. Tato rekonstrukce je stabilní v úzkém rozsahu teplot a tvoří přechodnou strukturu mezi rekonstrukcí (R3 x R3) R30 a ostrůvky