Ing. Josef Polčák, Ph.D. |
|
|  |
Vzdělání a akademická kvalifikace
- 2003, Ing., Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, obor Kybernetika, automatizace a měření
- 2011, Ph.D., Fakulta strojního inženýrství VUT v Brně, obor Fyzikální a materiálové inženýrství
|
Přehled zaměstnání
- 2012-dosud, výzkumný pracovník, CEITEC, VUT v Brně
- 2008-dosud, akademický pracovník, Ústav fyzikálního inženýrství FSI VUT v Brně
- 2005-2008, technický pracovník, Ústav fyzikálního inženýrství FSI VUT v Brně
|
Vědeckovýzkumná činnost
- Studium ultratenkých vrstev metodou AR XPS
- Vývoj software pro počítačové řízení experimentů
|
Akademické stáže v zahraničí
- 2004, University of Salford, výzkumný pracovník
|
Projekty
- Implementace XPD metody pro měření povrchů a tenkých vrstev
- Funkční hybridní nanosystémy polovodičů a kovů s organickými látkami (2007-2011)
|
Vybrané publikace:
- MIKMEKOVÁ, E.; POLČÁK, J.; SOBOTA, J.; MÜLLEROVÁ, I.; PEŘINA, V.; CAHA, O.:
Humidity resistant hydrogenated carbon nitride films,
Applied Surface Science, Vol.275, (2013), No.1, pp.7-13, ISSN 0169-4332
článek v časopise - ostatní, Jost
- POLČÁK, J.; ČECHAL, J.; BÁBOR, P.; URBÁNEK, M.; PRŮŠA, S.; ŠIKOLA, T.:
Angle-resolved XPS depth profiling of modeled structures: testing and improvement of the method,
Surface and Interface Analysis, Vol.42, (2010), No.5-6, pp.649-652, ISSN 0142-2421
článek v časopise - ostatní, Jost
- ČECHAL, J.; POLČÁK, J.; KOLÍBAL, M.; BÁBOR, P.; ŠIKOLA, T.:
Formation of copper islands on a native SiO2 surface at elevated temperatures,
Applied Surface Science, Vol.256, (2010), No.11, pp.3636-3641, ISSN 0169-4332
článek v časopise - ostatní, Jost
- ČECHAL, J.; POLČÁK, J.; TOMANEC, O.; ŠIKOLA, T.:
Řízený růst kobaltových ostrůvků na křemíkovém substrátu,
Jemná mechanika a optika, Vol.54, (2009), No.7-8, pp.222-224, ISSN 0447-6441
článek v časopise - ostatní, Jost
- ČECHAL, J.; MATLOCHA, T.; POLČÁK, J.; KOLÍBAL, M.; TOMANEC, O.; KALOUSEK, R.; DUB, P.; ŠIKOLA, T.:
Characterization of oxidized gallium droplets on silicon surface: an ellipsoidal droplet shape model for angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy analysis,
Thin Solid Films, Vol.517, (2009), No.6, pp.1928-1934, ISSN 0040-6090
článek v časopise - ostatní, Jost
Seznam publikací na portálu VUT
- MIKMEKOVÁ, E.; POLČÁK, J.; SOBOTA, J.; MÜLLEROVÁ, I.; PEŘINA, V.; CAHA, O.:
Humidity resistant hydrogenated carbon nitride films,
Applied Surface Science, Vol.275, (2013), No.1, pp.7-13, ISSN 0169-4332
článek v časopise - ostatní, Jost
Článek se zabývá přípravou a analýzou carbonitridových vrstev, které jsou odolné atmosférické vlhkosti. Klíčovým krokem pro dosažení těchto vlastností je žíhání ve vakuu.
- POLČÁK, J.; ČECHAL, J.; BÁBOR, P.; URBÁNEK, M.; PRŮŠA, S.; ŠIKOLA, T.:
Angle-resolved XPS depth profiling of modeled structures: testing and improvement of the method,
Surface and Interface Analysis, Vol.42, (2010), No.5-6, pp.649-652, ISSN 0142-2421
článek v časopise - ostatní, Jost
Článek se zabývá zdokonalením a testováním algoritmů pro získání hloubkového profilu koncentrací prvků z úhlově závislých měření pomocí XPS.
- ČECHAL, J.; POLČÁK, J.; KOLÍBAL, M.; BÁBOR, P.; ŠIKOLA, T.:
Formation of copper islands on a native SiO2 surface at elevated temperatures,
Applied Surface Science, Vol.256, (2010), No.11, pp.3636-3641, ISSN 0169-4332
článek v časopise - ostatní, Jost
Růst ostrůvků při depozici mědi na substrátu SiO2/Si za zvýšených teplot byl studován pomocí in-situ fotoelektronové spektroskopie (XPS) a ex-situ rastrovací elektronové mikroskopie (SEM) a mikroskopie atomárních sil (AFM). Byly nalezeny a popsány dvě teplotní oblasti: (I) Do teploty 250 C je substrát pokryt malými těsně uspořádanými ostrůvky; vrstva SiO2 představuje účinnou difúzní bariéru. (II) Depozice při teplotách nad 300 C vede ke tvorbě jednotlivých monokrystalických ostrůvků; při těchto teplotách dochází k difúzi mědi skrze vrstvu SiO2. Na rozhraní Si/SiO2 vzniká vrstva bohatá na měď, která snižuje koncetrační gradient mezi povrchem a substrátem a výrazně snižuje rychlost další difúze mědi do substrátu. Monokrystalické ostrůvky mědi tak zůstávají na povrchu až do teplot 450 C.
- ČECHAL, J.; POLČÁK, J.; TOMANEC, O.; ŠIKOLA, T.:
Řízený růst kobaltových ostrůvků na křemíkovém substrátu,
Jemná mechanika a optika, Vol.54, (2009), No.7-8, pp.222-224, ISSN 0447-6441
článek v časopise - ostatní, Jost
V článku je nastíněn způsob přípravy uspořádaných souborů kobaltových ostrůvků na povrchu oxidu křemičitého. Litografie fokusovaným iontovým svazkem byla použita k vytvoření míst, na kterých dochází k preferenční nukleaci ostrůvků. Tímto způsobem můžeme vytvořit soubory ostrůvků o dané velikosti a poloze.
- ČECHAL, J.; MATLOCHA, T.; POLČÁK, J.; KOLÍBAL, M.; TOMANEC, O.; KALOUSEK, R.; DUB, P.; ŠIKOLA, T.:
Characterization of oxidized gallium droplets on silicon surface: an ellipsoidal droplet shape model for angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy analysis,
Thin Solid Films, Vol.517, (2009), No.6, pp.1928-1934, ISSN 0040-6090
článek v časopise - ostatní, Jost
Byla studována depozice a oxidace kapek gallia na povrchu Si(111) pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie. Je prezentován model s elipsoidálním tvarem kapek pro úhlově závislou fotoelektronovou spektroskopii, jenž je v zápětí použitý k vlastní analýze morfologie připravené vrstvy.
