Ing. Michal Potoček, Ph.D. |
|
|  |
Vzdělání a akademická kvalifikace
- 2002, Ing., Fakulta strojního inženýrství VUT v Brně, obor Fyzikální inženýrství
|
Přehled zaměstnání
- 2005-dosud, technický pracovník, Ústav fyzikálního inženýrství FSI VUT v Brně
|
Vědeckovýzkumná činnost
- Studium ultratenkých vrstev pomocí metod TDS a TPMS
|
Akademické stáže v zahraničí
- 2001, Johanes Kepler University in Linz, výzkumný pracovník
|
Projekty
- Zvýšení účinnosti metody TPMS a měření vazební energie CO2 na povrchu Si pomocí TPMS.
- Měření čistoty Si destiček firmy ON Semiconductor s.r.o. .
- Funkční hybridní nanosystémy polovodičů a kovů s organickými látkami (2007-2011).
|
Vybrané publikace:
- POTOČEK, M.; BÁBOR, P.; ŠIKOLA, T.:
Využití termální desorpční spektroskopie při studiu povrchové kontaminace,
Jemná mechanika a optika, Vol.54, (2009), No.7-8, pp.217-218, ISSN 0447-6441
článek v časopise - ostatní, Jost
- MACH, J.; ČECHAL, J.; KOLÍBAL, M.; POTOČEK, M.; ŠIKOLA, T.:
Atomic hydrogen induced gallium nanocluster formation on the Si(100) surface,
Surface Science, Vol.602, (2008), No.10, pp.1898-1902, ISSN 0039-6028
článek v časopise - ostatní, Jost
- KOLÍBAL, M.; PRŮŠA, S.; PLOJHAR, M.; BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; TOMANEC, O.; KOSTELNÍK, P.; MARKIN, S.; BAUER, P.; ŠIKOLA, T.:
In situ Analysis of Ga-ultra Thin Films by ToF-LEIS,
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, Vol.249, (2006), No.1-2, pp.318-321, ISSN 0168-583X, Elsevier
článek v časopise - ostatní, Jost
- BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; URBÁNEK, M.; MACH, J.; SPOUSTA, J.; DITTRICHOVÁ, L.; SOBOTA, J.; BOCHNÍČEK, Z.; ŠIKOLA, T.:
Depth Profiling of Ultrathin Films and Their Multilayers by DSIMS
audiovizuální tvorba
akce: SIMS XV, Manchester, 12.09.2005-17.09.2005
- VOBORNÝ, S., MACH, J., KOLÍBAL, M., ČECHAL, J., BÁBOR, P., POTOČEK, M., ŠIKOLA, T.:
A study of Early Periods of GaN Ultrathin Film Growth,
New Trends in Pysics, pp.270-273, ISBN 80-7355-024-5, (2004), VUT v Brně
článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus
akce: NTF 2004, Brno, 11.11.2004-12.11.2004
Seznam publikací na portálu VUT
- POTOČEK, M.; BÁBOR, P.; ŠIKOLA, T.:
Využití termální desorpční spektroskopie při studiu povrchové kontaminace,
Jemná mechanika a optika, Vol.54, (2009), No.7-8, pp.217-218, ISSN 0447-6441
článek v časopise - ostatní, Jost
V článku je popsán teoretický základ termální desorpční spektroskopie a její realizace v laboratoři povrchů a tenkých vrstev. Dále je uvedeno použití této metody při studiu kontaminace Si desek.
- MACH, J.; ČECHAL, J.; KOLÍBAL, M.; POTOČEK, M.; ŠIKOLA, T.:
Atomic hydrogen induced gallium nanocluster formation on the Si(100) surface,
Surface Science, Vol.602, (2008), No.10, pp.1898-1902, ISSN 0039-6028
článek v časopise - ostatní, Jost
Byl pozorván vznik Ga nanoclusterů na Si(100) z povrchových struktur (2x3)-Ga a (2x2)-Ga indukovaný atomárním vodíkem. Dochází k záměně vodíku za gallium ve vazbách ke křemíku.
- KOLÍBAL, M.; PRŮŠA, S.; PLOJHAR, M.; BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; TOMANEC, O.; KOSTELNÍK, P.; MARKIN, S.; BAUER, P.; ŠIKOLA, T.:
In situ Analysis of Ga-ultra Thin Films by ToF-LEIS,
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, Vol.249, (2006), No.1-2, pp.318-321, ISSN 0168-583X, Elsevier
článek v časopise - ostatní, Jost
In-situ analýza ultratenkých vrstev Ga užitím ToF-LEIS
- BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; URBÁNEK, M.; MACH, J.; SPOUSTA, J.; DITTRICHOVÁ, L.; SOBOTA, J.; BOCHNÍČEK, Z.; ŠIKOLA, T.:
Depth Profiling of Ultrathin Films and Their Multilayers by DSIMS
audiovizuální tvorba
akce: IBA 2005, Seville, 26.06.2005-01.07.2005
Hloubkové profilování velmi tenkých vrstev a multivrstev Ni/C a Mo/Si pomocí DSIMS. Bylo dosaženo hloubkového rozlišení 3 nm a výsledky srovnány s těmi získanými metodou XRR.
- VOBORNÝ, S., MACH, J., KOLÍBAL, M., ČECHAL, J., BÁBOR, P., POTOČEK, M., ŠIKOLA, T.:
A study of Early Periods of GaN Ultrathin Film Growth,
New Trends in Pysics, pp.270-273, ISBN 80-7355-024-5, (2004), VUT v Brně
článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus
akce: NTF 2004, Brno, 11.11.2004-12.11.2004
Studium počátečních fází růstu velmi tenkých vrstev GaN.
