Ing. Michal Potoček, Ph.D.

E-mail:   potocek@fme.vutbr.cz 
Osobní stránka:   mpotocek@seznam.cz
Pracoviště:   Ústav fyzikálního inženýrství
Zařazení:   Odborný asistent
Místnost:   A2-old/705

Vzdělání a akademická kvalifikace

  • 2002, Ing., Fakulta strojního inženýrství VUT v Brně, obor Fyzikální inženýrství

Přehled zaměstnání

  • 2005-dosud, technický pracovník, Ústav fyzikálního inženýrství FSI VUT v Brně

Vědeckovýzkumná činnost

  • Studium ultratenkých vrstev pomocí metod TDS a TPMS

Akademické stáže v zahraničí

  • 2001, Johanes Kepler University in Linz, výzkumný pracovník

Projekty

  • Zvýšení účinnosti metody TPMS a měření vazební energie CO2 na povrchu Si pomocí TPMS.
  • Měření čistoty Si destiček firmy ON Semiconductor s.r.o. .
  • Funkční hybridní nanosystémy polovodičů a kovů s organickými látkami (2007-2011).

Vybrané publikace:

  • POTOČEK, M.; BÁBOR, P.; ŠIKOLA, T.:
    Využití termální desorpční spektroskopie při studiu povrchové kontaminace,
    Jemná mechanika a optika, Vol.54, (2009), No.7-8, pp.217-218, ISSN 0447-6441
    článek v časopise - ostatní, Jost
  • MACH, J.; ČECHAL, J.; KOLÍBAL, M.; POTOČEK, M.; ŠIKOLA, T.:
    Atomic hydrogen induced gallium nanocluster formation on the Si(100) surface,
    Surface Science, Vol.602, (2008), No.10, pp.1898-1902, ISSN 0039-6028
    článek v časopise - ostatní, Jost
  • KOLÍBAL, M.; PRŮŠA, S.; PLOJHAR, M.; BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; TOMANEC, O.; KOSTELNÍK, P.; MARKIN, S.; BAUER, P.; ŠIKOLA, T.:
    In situ Analysis of Ga-ultra Thin Films by ToF-LEIS,
    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, Vol.249, (2006), No.1-2, pp.318-321, ISSN 0168-583X, Elsevier
    článek v časopise - ostatní, Jost
  • BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; URBÁNEK, M.; MACH, J.; SPOUSTA, J.; DITTRICHOVÁ, L.; SOBOTA, J.; BOCHNÍČEK, Z.; ŠIKOLA, T.:
    Depth Profiling of Ultrathin Films and Their Multilayers by DSIMS
    audiovizuální tvorba
    akce: SIMS XV, Manchester, 12.09.2005-17.09.2005
  • VOBORNÝ, S., MACH, J., KOLÍBAL, M., ČECHAL, J., BÁBOR, P., POTOČEK, M., ŠIKOLA, T.:
    A study of Early Periods of GaN Ultrathin Film Growth,
    New Trends in Pysics, pp.270-273, ISBN 80-7355-024-5, (2004), VUT v Brně
    článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus
    akce: NTF 2004, Brno, 11.11.2004-12.11.2004

Seznam publikací na portálu VUT

Anotace nejvýznamnějších prací:

  • POTOČEK, M.; BÁBOR, P.; ŠIKOLA, T.:
    Využití termální desorpční spektroskopie při studiu povrchové kontaminace,
    Jemná mechanika a optika, Vol.54, (2009), No.7-8, pp.217-218, ISSN 0447-6441
    článek v časopise - ostatní, Jost

    V článku je popsán teoretický základ termální desorpční spektroskopie a její realizace v laboratoři povrchů a tenkých vrstev. Dále je uvedeno použití této metody při studiu kontaminace Si desek.
  • MACH, J.; ČECHAL, J.; KOLÍBAL, M.; POTOČEK, M.; ŠIKOLA, T.:
    Atomic hydrogen induced gallium nanocluster formation on the Si(100) surface,
    Surface Science, Vol.602, (2008), No.10, pp.1898-1902, ISSN 0039-6028
    článek v časopise - ostatní, Jost

    Byl pozorván vznik Ga nanoclusterů na Si(100) z povrchových struktur (2x3)-Ga a (2x2)-Ga indukovaný atomárním vodíkem. Dochází k záměně vodíku za gallium ve vazbách ke křemíku.
  • KOLÍBAL, M.; PRŮŠA, S.; PLOJHAR, M.; BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; TOMANEC, O.; KOSTELNÍK, P.; MARKIN, S.; BAUER, P.; ŠIKOLA, T.:
    In situ Analysis of Ga-ultra Thin Films by ToF-LEIS,
    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, Vol.249, (2006), No.1-2, pp.318-321, ISSN 0168-583X, Elsevier
    článek v časopise - ostatní, Jost

    In-situ analýza ultratenkých vrstev Ga užitím ToF-LEIS
  • BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; URBÁNEK, M.; MACH, J.; SPOUSTA, J.; DITTRICHOVÁ, L.; SOBOTA, J.; BOCHNÍČEK, Z.; ŠIKOLA, T.:
    Depth Profiling of Ultrathin Films and Their Multilayers by DSIMS
    audiovizuální tvorba
    akce: IBA 2005, Seville, 26.06.2005-01.07.2005

    Hloubkové profilování velmi tenkých vrstev a multivrstev Ni/C a Mo/Si pomocí DSIMS. Bylo dosaženo hloubkového rozlišení 3 nm a výsledky srovnány s těmi získanými metodou XRR.
  • VOBORNÝ, S., MACH, J., KOLÍBAL, M., ČECHAL, J., BÁBOR, P., POTOČEK, M., ŠIKOLA, T.:
    A study of Early Periods of GaN Ultrathin Film Growth,
    New Trends in Pysics, pp.270-273, ISBN 80-7355-024-5, (2004), VUT v Brně
    článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus
    akce: NTF 2004, Brno, 11.11.2004-12.11.2004

    Studium počátečních fází růstu velmi tenkých vrstev GaN.