Téma doktorského studia

Příprava a analýza Schottkyho přechodu Grafen/Si

Školitel: prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc.
Školitel specialista: doc. Ing. Jindřich Mach, Ph.D.
Popis:
Rozhraní grafen/Si vytváří Schottkyho přechod, který se jeví jako velmi perspektivní pro konstrukci solárních článků a také pro přípravu velmi citlivých senzorů plynů. Ke komplexní analýze zmíněného rozhraní je nutno užít metody pro studium povrchů a rozhraní jako jsou například SPM, SEM, TEM, ramanovská a FT-IR mikrospektroskopie, atd.... Studium bude směřovat k navržení a optimalizaci elektrotechnických součástek využívajících Schottkyho přechodu.
Poznámka:
Rok Program Obor Zaměření Forma Jazyk Stav
2019/20 D4F-P D-FMI F P cs Schváleno oborovou radou